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硅光与CPO技术受硅基材料高损耗制约

[2025-07-15 13:17:00] 来源: 编辑: 点击量:
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导读: 数据中心冲刺 800G/1.6T,硅光 / CPO 技术受硅基材料高损耗制约,传统光源功率不足。Santec 高功率可调谐激光器TSL-570 Type H以 20dBm 峰值功率等优势强势破局,加速技术落地。

 数据中心冲刺 800G/1.6T,硅光 / CPO 技术受硅基材料高损耗制约,传统光源功率不足。Santec 高功率可调谐激光器TSL-570 Type H以 20dBm 峰值功率等优势强势破局,加速技术落地。

 
市场痛点:硅光/CPO亟需“强力心脏”
随着数据中心迈向800G/1.6T时代,硅光集成(SiPh)与共封装光学(CPO)技术成为关键突破口。硅基材料的损耗较高,主要是以下两个方面的原因:
 
•   高材料损耗:   硅波导损耗达3-5dB/cm
•   密集耦合挑战: 芯片级集成引入额外插损
 
因此,传统光源功率不足,导致测试信号衰减、误码率飙升,成为技术落地的“卡脖子”难题。
 
破局利器:TSL-570 Type H硬核登场
Santec 高功率可调谐激光器TSL-570 Type H,专为高损耗场景而生,三大突破直击痛点:
 
巅峰功率:
•   峰值功率突破20dBm(100mW+),全波段保证≥16dBm更高功率的解决方案可以定制。
•   即便在损耗最高的O波段(1260-1360nm),仍保持+16dBm输出,为硅光链路注入强心剂。
 
超精度控制:
•   0.1pm波长分辨率,±1pm绝对精度。
•   精准匹配硅光器件测试需求。
 
极速扫描:
•   200nm/s扫频速度,较传统设备提速5倍。
•   快速完成多通道CPO器件特性分析。
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