中山大学王瑞军副教授在“第六届光电子集成芯片立强大会”的邀请报告中，报道了硅基光电子集成（硅光）技术重大进展：经广州光电存算芯片融合创新中心（广州芯创）与中山大学联合攻关，国内首次在300毫米（12英寸）直径、220纳米硅层厚度的标准硅光平台上，成功实现磷化铟半导体激光器的异质集成，同时也是迄今国际唯一报道的12英寸220纳米标准硅光平台的异质集成半导体激光器。该成果突破了硅光芯片如何集成片上光源这一公认的关键技术瓶颈，为我国面向人工智能算力中心提高算力、降低能耗等重大需求，研发下一代光互连、光计算等高端先进硅光芯片掌握了核心技术。
在人工智能爆发式增长的背景下，算力基础设施在互连、算力和存储三大方面均面临严峻挑战，如何实现算力可持续增长成为当今最重要的科技前沿之一。光互连已经在10米以上距离占据统治地位，正在向更短距离的板卡间、片间乃至片上互连渗透；光计算也展示了以高能效大幅度提高系统算力的潜力。因此，支撑光互连、光计算的硅基光电子集成芯片（简称硅光芯片）具有极强的战略意义和突出的产业价值，近年来得到高速发展。我国已有多条200-300毫米（8-12英寸）的硅光芯片产线投入运行。
然而硅材料不能高效发光，导致目前硅光芯片缺乏片上光源，而是依赖外接的磷化铟、砷化镓半导体激光器光源，其尺寸、成本、能耗等方面的优势不能完全发挥。如何在量产级大尺寸硅光晶圆上实现磷化铟、砷化镓等高效发光化合物半导体材料的异质集成、并进一步实现片上半导体激光器的异构加工，是硅光技术向全功能单片集成发展的核心挑战，成为国际光电子集成技术研发重要焦点。
广州芯创从2023年开始建设我国首个300毫米（12英寸）异质异构光电集成中试研发平台，针对硅光技术前沿，重点布局支撑硅基磷化铟、砷化镓、薄膜铌酸锂等材料的异质异构光电集成。在平台建设同时，与中山大学光电材料与技术全国重点实验室等伙伴密切合作，开展平台赋能技术攻关。
在硅基大晶圆上的磷化铟、砷化镓材料异质集成层面，研究人员提出了系列创新技术方案，解决了硅与这些化合物半导体材料间的热膨胀系数、晶格常数、极性失配问题，实现了高结合强度的原子级平整异质材料界面，于2024在国内首次在300毫米（12英寸）硅光晶圆上成功实现磷化铟、砷化镓材料的大规模异质集成，良率达 90%，为进一步实现硅基磷化铟、砷化镓半导体激光器的异构集成打下了基础。
